Аддитивное формирование изделий из алмазных порошков методом СВЧ плазмохимического осаждения из газовой фазы
24 сентября 2021 года
22:24
Аддитивное формирование изделий из алмазных порошков методом СВЧ плазмохимического осаждения из газовой фазы
Текст новости:
- грант Российского научного фонда (РНФ) в рамках выполнения обязательств по Проекту № 19-79-30025. Цель и задачи работы Целью работы являлось установление возможности аддитивного формирования изделий из алмазных порошков осаждением из газовой фазы, на основе исследования теоретических и практических закономерностей послойного формирования алмазных изделий с использованием газовой фазы. Для достижения поставленной цели решались следующие задачи: - анализ литературных источников и актуальности проведения работы. Выбор направления проведения исследований; - расчет эффективной глубины осаждения алмаза из газовой фазы, при различных температурах, концентрациях метана и для различных фракций алмазного порошка; - установление количества слоев алмазного порошка, которые можно скрепить между собой, алмазом, осаждаемым из газовый фазы, за один технологический цикл; - исследование возможных способов интенсификации процесса насыщения слоёв алмазного порошка (исследование влияние газодинамики, теплоотвода); - исследование химического осаждения алмаза из газовой фазы в присутствии кислорода, от материала поддерживающих конструкций, роль которых выполняют сфероидизированные оксидные порошки; - оценка распределения концентрации атомарного водорода в СВЧ плазменном разряде, с целью установления условий образования различных модификаций углерода из газовой фазы; - исследование возможности шлифовки поверхности алмазных заготовок в установке для роста алмаза из газовой фазы; - аддитивное формирование экспериментальных образцов из алмазных порошков, осаждением алмаза из газовой фазы исследование их свойств и разработка технической документации этого процесса. Научная новизна 1 Предложен механизм роста аллотропных модификаций углерода из газовой фазы, заключающийся в необходимости непрерывного прямого контакта передаваемой СВЧ энергии веществам, участвующим в реакции образования алмаза. При частичном же экранировании слоем алмазного порошка потока СВЧ энергии, мощность его падает, что и приводит к формированию промежуточных аллотропных модификаций углерода на поверхности и внутри насыпки алмазного порошка (пластинчатый алмаз, гибридная углеродная структура, нанокристаллический графит, алмаз со столбчатой структурой, углеродные нити); 2 Показано существование переходных реакционных зон в плазменном разряде, обусловленных разной концентрацией атомарного водорода и метильных радикалов, образующихся в зависимости от градиента распределяемой СВЧ энергии в плазменном разряде, что и определяет переход от одной аллотропной модификации углерода к другой; 3 Показано, что контакт алмазных порошков с порошками оксида алюминия, оксида кремния, оксида циркония, не препятствует росту алмаза из газовой фазы, что позволит использовать их в качестве материала поддерживающих конструкций при аддитивном формировании изделий из алмазных порошков. 3


Текст со страницы (автоматическое получение):
ПРИЕМНАЯ
ВЫСШАЯ АТТЕСТАЦИОННАЯ КОМИССИЯ
при Министерстве науки и высшего образования Российской Федерации
Высшая аттестационная комиссия при Министерстве науки и высшего образования Российской Федерации создана в целях обеспечения государственной научной аттестации
ВЫСШАЯ АТТЕСТАЦИОННАЯ КОМИССИЯ
Автоматическая система мониторинга и отбора информации
Источник
Другие материалы рубрики
★★★  24 сентября 2021 года
05:52
July 2021 extreme floods in the Belgian part of the Meuse basin